高频变压器和共模电感等磁性元器件有关磁导率计算方法：
1、磁介质的磁导率
电流可以产生磁场，但电流在不同的介质中产生的磁感应强度是不同的。例如，在相同条件下，在铁磁介质中所产生的磁感应强度比空气介质中大得多。为了表述这种特性，将不同的磁介质用一个系数μ来表示，μ称为介质磁导率，表征物质的导磁能力。在介 质中，μ越大，介质中磁感应强度B就越大。
真空中的磁导率一般用μ0表示。空气、铜、铝和绝缘材料等，磁材料的磁导率和真空磁导率大致相同。而铁、镍、钴等铁磁 材料及其合金的磁导率都比μ0大10~100倍。
最初，将真空磁导率μ0定为1，其他材料的磁导率 实际上是真空磁导率的倍数。沿用了很多时间，并影响到一些基本关系式 的表达，就是在公式中经常使用的4π，现在英美还在应用，这就是非合理化单位制(CGS制)的来由。
但是，近代物理经过测试，实际真空磁导率:
因此其他材料的实际磁导率应当是原先磁导率乘以μ0。因为在μ0中包含了4π，这样在所有表达电磁关系的公式中没有了4π，形成了所谓合理化单位制(MKS制)。这里将其他材料磁导率高于真空磁导率的倍数称为相对磁导率μr。 也称为绝对 磁导率:
为了比较介质导磁性能，通常以真空磁导率为基准，定义介质的磁导率μ与真空磁导率μ0之比为相对磁导率μr，即:
磁性材料料的相对磁导率不是一个常数，因μ是 B-H曲线上任意一点的B和H的比值，即
2、最大磁导率μm
下图μ曲线表示了μr值是随磁场强度变化的曲线。在某一磁场强度下，相对磁导率达到最大值，称为最大磁导率μm。
3、初始磁导率μi
一般规定：材料样件是环形的闭合磁路。当激励磁场强度H→0时的磁导率称为初始磁导率μi:
初始磁导率μi与温度和频率有关。例如在DIN IEC401中规定：软磁铁氧体材料的μi测试条件为f≤10kHz，B<0.25mT,T=25°C。
4、增量磁导率μ∆
在一个直流磁场上，叠加另外一个交流磁场时交流分量的磁导率即为增量磁导率μ∆ :
若交流分量与直流分量比较小，小到可以忽略，则增量磁导率称之为可逆磁导率(μrev)。该值和直流磁场大小，磁芯的⼏何 形状及温度有关。
5、有效磁导率μe
电感的磁芯采用低磁导率环形磁芯外， 有时还采用gap(μr=1)的高磁导率(μi>>1磁材料)磁芯。高磁导率磁芯存储能量很少，主要用空气隙存储能量。
如果是带有GAP为0的环形磁芯,截⾯面积Ac，有效磁路度为Lc，线圈匝数为N，线圈电流为I，假设气隙δ相对于 截面的尺寸很小，忽略磁通。根据全电流定律律有:
其中Hδ和Hc分别为GAP和磁芯中的磁场强度。因为气隙很小，不考虑GAP的边缘磁通，则有:
又因为忽略了边缘磁通，故磁芯磁通密度Bc=Bδ-GAP磁通密度，因此近似有:
μe为有效磁导率。当磁芯带有GAP后，等效的磁导率降低了。如果μr>>lc/δ，则有效磁导率近似为:
则上式可以改为:
式中Hc=Bc/μ0μr。带有GAP的磁芯产生与无GAP时相同的磁通密度，磁场强度分为两个部分：磁芯中的Hc和等效的气隙磁场 强度H’δ=μrδ/lc，带有GAP磁芯磁化曲线是磁芯磁化特性与气隙磁化特性的集成，如上图所示，合成磁 化曲线的线性度比材料 磁化曲线好很多。磁阻大得多的线性气隙把磁芯材料特性的非线性掩盖了。而且可通过改变GAP的深浅，可以很方便地改变磁芯的有效磁导率。其次，由于GAP的去磁作用，磁芯的剩磁感应(Br)大大下降了，这个性能对单向磁化应用非常有价值。
6、振幅磁导率(μa)
没有增加直流偏置时，交变磁场强度的幅值与磁通密度幅值的关系称为振幅磁导率μa:
磁化曲线是线性的，幅值磁导率与峰值磁场强度有关。